SiTime MEMS振蕩器采用標準半導體封裝工藝,采用MEMS諧振器和CMOS芯片構建.由于迄今為止已售出的2.5億個產品中沒有MEMS諧振器故障,我們無法計算MEMS的激活能量(Ea).因此,我們使用CMOS的行業(yè)標準Ea=0.7eV作為產品的Ea.我們使用設備最差情況元素的Ea作為Ea來計算我們產品的可靠性指標,FIT和MTBF.
精密的MEMS貼片式晶體振蕩器需要一個溫度-數字轉換器(TDC)來調整分數N PLL的倍增因子,以便補償MEMS諧振器在整個溫度范圍內的頻率變化.然而,這種補償為TDC的噪聲作為相位噪聲(PN)傳播到溫補晶振的輸出提供了一條路徑.以前的工作已經試圖通過使用高分辨率TDC來最小化這種噪聲,例如,描述的基于MEMS熱敏電阻的TDC。本文介紹了一種基于雙MEMS晶振的TDC,它對振蕩器PN沒有顯著影響。在130Hz帶寬(BW)中,傳感器實現(xiàn)了40μK的熱噪聲限制分辨率,導致分辨率FOM(能量/轉換×分辨率2)為0.12pJK2,比現(xiàn)有技術高5倍。
電信應用要求在1s積分時間內具有優(yōu)于10-10的Allan偏差(ADEV)的時鐘,或者對于48MHz金屬面時鐘晶振在1Hz偏移頻率下具有小于-59dBc的PN,降低30dB/十倍。此類應用還需要-40至85°C的±0.1ppm頻率穩(wěn)定性,必須在1°C/s的溫度斜坡和熱瞬態(tài)期間保持,通常在100Hz帶寬內。本工作中描述的MEMS振蕩器滿足PN要求,無需溫度補償(XO)。但是,為了滿足穩(wěn)定性要求,溫度補償(TCXO)是必不可少的。
最佳報告的TDC分辨率為100μK(rms),10S/s,FOM為13pJK2。在這項工作中,MEMS頻率變化高達1ppm/K.為避免降低TCXO PN,需要在200S/s下至少50μK的TDC分辨率。為了滿足這一要求而擴展架構將需要1W的功耗。VCXO晶振傳感器實現(xiàn)了迄今為止最佳的能效,FOM為0.52pJK2,但在10mK(rms)時,其分辨率遠遠不夠。此外,這兩個最佳示例都是基于熱敏電阻的,并且在整個壽命期間不太可能滿足±0.1ppm的穩(wěn)定性要求(包括滯后)。其他TDC類型,例如基于BJT的傳感器,尚未達到所需的分辨率和能量效率。所提出的雙MEMS諧振器TDC在這項工作中使我們能夠同時實現(xiàn)目標分辨率,BW,FOM和穩(wěn)定性。
圖1描述了可編程石英晶體振蕩器,在一個芯片上有兩個MEMS諧振器,連接到CMOS芯片,包括兩個振蕩器維持電路,一個頻率比引擎和一個頻率合成器。在該架構中,溫度信息來自兩個MEMS頻率的比率:溫度檢測頻率fTS(45MHz)和溫度平坦頻率fTF(47MHz),溫度系數為-7ppm/K和1ppm/K,分別。因此它們的比率具有約-8ppm/K的溫度系數.
圖2顯示了頻率比引擎,它由一個嵌套在另一個內的PLL組成。數字PLL(DPLL)將fTS鎖定為由嵌套模擬小數N分頻PLL(APLL)提供的fTF的縮放值,并用作DPLL的數控振蕩器(DCO)。 APLL的小數除法值是兩個頻率的縮放比率。DCO的輸出頻率除以10,以優(yōu)化所用過程中的功率和性能。小數除法值應用于由7階多項式和橢圓低通濾波器組成的TDC數據路徑。然后,通過修改頻率合成器的可編程倍頻器(PFM)值,濾波后的結果用于穩(wěn)定參考頻率fTF,從而在合成器的輸出端產生穩(wěn)定的頻率。