富士晶振,石英晶體振蕩器,FCO-300晶振

產(chǎn)品簡介

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.

產(chǎn)品詳情

富士晶振公司股份有限公司位于日本山梨縣南都留郡富士河口湖町勝山1430-1富士晶振公司主要以石英晶振，電子元件，三端穩(wěn)壓管，LED照明，高壓電容器，薄膜電容器等產(chǎn)品的生產(chǎn)與開發(fā)，在于2013年開始處理,軟件的開發(fā),今后在有線、無線通信設(shè)備的本公司商品化目標(biāo)。今后更能迅速滿足市場的需求。目前針對中國市場主要以石英晶振，石英晶體諧振器，石英晶體振蕩器，有源晶振系列產(chǎn)品作為主打。石英晶體振蕩器,貼片型時鐘晶體振蕩器,FCO-300晶振

富士晶振,石英晶體振蕩器,FCO-300晶振,貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

貼片有源晶振是指在普通無源晶體上增加了電壓，內(nèi)部集成了相應(yīng)IC與電容電阻，需要在凈化萬級車間生產(chǎn)，并且在密封機(jī)器設(shè)備中焊接加蓋，內(nèi)部封裝模式是指在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶體振蕩器,貼片型時鐘晶體振蕩器,FCO-300晶振

項(xiàng)目	符號	FCO-300晶振規(guī)格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	1.00MHz to75 MHz	請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.80 V to 3.3 V	請聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲存溫度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -10℃to +70℃	請聯(lián)系我們查看更多資料http://m.edgebanding.cn
		H: -40℃to +85℃
		J: -40℃to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CCMax.	ST終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CCMax.	ST終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CCto 80 % V_CC極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年