瑞康晶振,貼片無源晶振,RTF2012晶體.普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動貼片機上對應(yīng)自動貼裝等優(yōu)勢.
瑞康晶振主要以石英晶體技術(shù)為基礎(chǔ),利用其獨特和自然的壓電性能,瑞康無源晶振產(chǎn)品創(chuàng)造出非常精確的電信號.這些信號用于在最苛刻的通信應(yīng)用中產(chǎn)生無線電波并同步時間.通過獨特的專有流程,持續(xù)創(chuàng)新和研發(fā),專家咨詢和不斷的技術(shù)進(jìn)步,實現(xiàn)了市場領(lǐng)先. 瑞康Rakon晶振憑借無可挑剔的質(zhì)量控制來支持其獨創(chuàng)性,達(dá)到國際最高制造標(biāo)準(zhǔn).
石英晶振在選用晶片時應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高.對于貼片晶振的條片,長邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸.對于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英晶振對精度要求高的產(chǎn)品(如部分定單的 UM-1),會在 X 軸方向進(jìn)行拉弦(切掉一小部分),以利于耐高溫晶振的晶片有方向的裝架點膠,點膠點點在 Z 軸上.保證晶振產(chǎn)品的溫度特性.
Rakon晶振 |
單位 |
RTF2012晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-40℃~+85℃ |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推薦:10μW |
頻率公差 |
f_— l |
±20ppm |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.edgebanding.cn/
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
30 × 10-6,±50 × 10-6 |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
6.0pF 9.0pF 12.5pF |
不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
引線類型產(chǎn)品
當(dāng)引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時,請注意避免對基座玻璃部分施加壓力.否則有可能導(dǎo)致玻璃出現(xiàn)裂痕,從而引起性能劣化.
保管
保管在高溫多濕的場所可能會導(dǎo)致端子軟焊性的老化.請在沒有直射陽光,不發(fā)生結(jié)露的場所保管.
晶體諧振器
如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用.讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值.本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍以上.
晶體振蕩器
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOSIC一樣考慮.有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接.使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以最短距離連接.關(guān)于個別機型請確認(rèn)宣
裝載SMD產(chǎn)品
SMD晶體產(chǎn)品支持自動貼裝,但還是請預(yù)先基于所使用的搭載機實施搭載測試,確認(rèn)其對特性沒有影響.在切斷工序等會導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中,請注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊.基于超聲波焊接的貼裝以及加工會使得32.768K晶振產(chǎn)品(諧振器、振蕩器、濾波器)內(nèi)部傳播過大的振動,有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使用.