86-0755-27838351
頻率:6~125MHZ
尺寸:6.0×3.5mm
因亞陶晶振6035mm晶振產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
臺(tái)灣百利通亞陶晶振的技術(shù)為高帶寬、高速串行連接協(xié)議所引起的挑戰(zhàn)提供了系統(tǒng)設(shè)計(jì)解決方案.Pericom百利通亞陶晶振公司于1990年由許志明和許志恒(Alex Hui 和 John Hui)共同在美國(guó)加州圣何西市創(chuàng)立,公司由此蓬勃發(fā)展成為一家在全球擁有超過(guò)900名員工的公司,并在北美(我們的總部所在地)和亞洲建立了設(shè)計(jì)中心;亞陶晶振的恒溫控制晶體振蕩器技術(shù)和銷售支持辦事處遍布全球.
百利通亞陶晶振,貼片晶振,FX晶振,FX0800015晶振,小體積貼片晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢(shì),適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型 具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強(qiáng).滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì):石英晶片的長(zhǎng)寬尺寸已要求在±0.002mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng),面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng),從而造成如若石英晶振晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致壓電石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問(wèn)題,公司在此方面通過(guò)理論與實(shí)踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。
百利通亞陶晶振規(guī)格 |
單位 |
FX貼片晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom6 |
6MHZ~125.0MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C—+85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
以下是石英晶振電路設(shè)計(jì)匹配問(wèn)題:
一般來(lái)說(shuō),微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:
鎘和CG是外部負(fù)載電容,其中已建成的芯片組。 (請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格)
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個(gè)阻力是沒(méi)有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。
一個(gè)穩(wěn)定的石英晶體振蕩器電路需要的負(fù)電阻,其值應(yīng)是晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。
例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負(fù)電阻的值必須小于?200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負(fù)電阻(-R)以下說(shuō)明:
線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)
(2)從起點(diǎn)到石英晶體振蕩器的停止點(diǎn)調(diào)整R的值。
(3)振蕩期間測(cè)量R的值。
(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。
附:所連接的電路的雜散電容,可能會(huì)影響測(cè)定值。百利通亞陶晶振,貼片晶振,FX晶振,FX0800015晶振
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