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百利通亞陶晶振,石英貼片晶振,NX501振蕩器

頻率:5.000MHz~250.000MHz

尺寸:5.0*3.2*1.2mm

5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
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百利通亞陶晶振,石英貼片晶振,NX501振蕩器.智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使臺灣貼片晶振可在更低功耗下工作.使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).

Diodes 公司為領(lǐng)先業(yè)界的高質(zhì)量應(yīng)用特定標準產(chǎn)品全球制造商與供貨商,產(chǎn)品涵蓋廣泛領(lǐng)域,包括獨立、邏輯、模擬及混合訊號半導體市場.Diodes百利通亞陶晶振服務(wù)的市場包括消費性電子、計算機、通訊、工業(yè)及汽車市場.Diodes 的產(chǎn)品包括二極管、整流器、晶體管、MOSFET、保護裝置、特定功能數(shù)組、單閘極邏輯、放大器與比較器、霍爾效應(yīng)與溫度傳感器、電源管理裝置 (包括 LED 驅(qū)動器)、AC-DC 轉(zhuǎn)換器與控制器、DC-DC 開關(guān)與線性穩(wěn)壓器,以及電壓參考與特殊功能裝置 (例如 USB 電源開關(guān)、負載開關(guān)、電壓監(jiān)控器及馬達控制器).

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百利通亞陶晶振

NX501晶振

輸出類型

           CMOS

輸出負載

15pF

振蕩模式

基本/第三泛音

電源電壓

+2.5V,+3.3V

頻率范圍

5.000MHz~250.000MHz

頻率穩(wěn)定度

±50ppm

工作溫度

-40℃~+85℃

保存溫度

-55℃~+125℃

電壓卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

啟動時間

5 ms Max

相位抖動(12兆赫~20兆赫)

1個PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

3

NX501 5032 OSC

4

抗沖擊

貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.

輻射

暴露于輻射環(huán)境會導致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.

化學制劑/pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口石英手機晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.

粘合劑

請勿使用可能導致晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)

鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.

耐焊性

加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害諧振器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至低功耗晶振使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

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