86-0755-27838351
頻率:100.0-700.0MHZ
尺寸:5.0*3.2mm
EPSON晶振,貼片晶振,EG-2102CB晶振,“EG-2102CB 156.2500M-PGPAL3”具有最適合于移動通信設備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對應低電源電壓的產(chǎn)品.(可對應DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度:最高1.0 mm,體積:0.007 cm3,重量:0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對應回流焊) 無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
石英晶振晶片邊緣處理技術:貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,“EG-2102CB 156.2500M-PGPAL3”在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。
項目 |
符號 |
規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
100-700MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
1.60 V to 3.63 V |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
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H: -40℃ to +105℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
1.超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面面濾波器波(SAW)/聲表面諧振器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進行清洗。“EG-2102CB 156.2500M-PGPAL3”但是,在某些條件下, 晶振特性可能會受到影響,而且內部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶振可能受到破壞。
(3)請勿清洗開啟式晶振產(chǎn)品
(4)對于可清洗晶振產(chǎn)品,應避免使用可能對產(chǎn)品產(chǎn)生負面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負面影響產(chǎn)品的可靠性和質量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
2.操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
3.使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內使用石英晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
晶振/石英晶體諧振器
激勵功率
在晶振上施加過多驅動力,會導致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持SPXO振蕩器適當?shù)募罟β?
負極電阻
除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加
負載電容
有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與陶瓷霧化片設計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容
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