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愛普生晶振,SG-8018CE晶振,石英晶體振蕩器

頻率:0.67MHZ~170MHZ

尺寸:3.2x2.5mm

小型貼片石英晶振主要采用了,先進的晶片的拋光工藝技術,是晶體行業(yè)中石英晶片研磨技術中表面處理的最高技術,最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,大大的降低諧振電阻,使精度得到了很大的提升.改變了傳統(tǒng)的生產工藝,使產品在各項參數(shù)得到了很大的改良,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數(shù)碼產品.
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1愛普生晶振,SG-8018CE晶振,石英晶體振蕩器

EPSON愛普生公司成立于1942年5月,總部位于日本長野縣諏訪市,是全球數(shù)一數(shù)二的晶振制造商,是數(shù)碼映像領域的全球領先企業(yè).全稱為愛普生拓優(yōu)科夢(Epson Toyocom)將進一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術,創(chuàng)造出體積更小,更高性能或全新功能的電子元器件.愛普生晶振在32.768KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生拓優(yōu)科夢的晶體元器件已以23%的市場占有率位于業(yè)界第一.主要產品系列:無源晶振,有源晶振,可編程晶振,SMD crystal,DIP crystal,石英晶體振蕩器,溫補晶振,壓控石英水晶振蕩子,VC-TCXO等等.獨創(chuàng)QMEMS技術,生產出更小更高性能和全新功能的晶振產品.全球晶振產品市場占有率最大.可編程晶振能適應各種客戶的獨特需求.由于其制造工藝處于世界頂尖水平,價格也是相對于其他平牌要高.被廣泛的應用于各類計量儀表,醫(yī)療電子設備,汽車電子和各類高端消費類電子產品.
  2010年晶振全球廠家排名中,在占據(jù)首位.愛普生僅此一項水晶振動子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛普生晶振以32.768KHZ晶振稱霸晶振行業(yè),主要消費在手機,PCB,等電子產品.同時愛普生以提供原子鐘的精準振蕩器知名業(yè)界.僅此在音叉振子和振蕩器還達不到愛普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領NO1.因此除了KHZ,MHZ的研究發(fā)展,另外還發(fā)明GHZ技術,使工藝技術達到人無完人,史前無例,實現(xiàn)以基波方式產生2.5GHZ為止高頻的表面聲波(SAW)元器件.

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愛普生晶振,SG-8018CE晶振,石英晶體振蕩器

愛普生KHZ產品分有貼片SMD圓柱DIP。

KHZ中愛普生是以32.768KHZ最為出名的。32.768K晶振是一款數(shù)字電路板都要使用到的重要部件,有人比喻為電路板的心跳發(fā)生器,也就是說心如果停止了跳動,那么電路板也將無法進行穩(wěn)定的工作了。32.768K中愛普生C-002RX是一款受歡迎的圓柱音叉晶振,體積只有2*6mm。與日本KDSDT-26同體積同參數(shù)。

因此說道的四款型號晶振都是可以相互替換使用的。只是有客戶比較鐘愛某個品牌,或者是上級有要求一定要用什么品牌的。C-002RX具有的優(yōu)點有

1,超小型、薄型、質地輕的音叉圓柱晶振,使焊接更為方便簡單

2,具備優(yōu)良的耐熱性、耐環(huán)境特性

3,金屬外殼的使用使得產品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷外殼更好的耐沖擊性。

愛普生除此C-002RX晶振,C-001也是工藝中比較常用到的音叉晶振,體積大概只有3*8mm。只是2*6體積稍微小一點,比較受廣發(fā)消費者的愛戴。同此相比,當然也有比2*6更小的體積了,例如體積只有5*1.5mmC-004R圓柱晶振,4.5*1.2mmC-005R圓柱晶振。價格相對來說都是比較貴的。因為體積小就意味著占用空間小。

KHZ貼片系列,愛普生在這一系列上做的可是相當?shù)淖吭?,?/span>貼片晶振最小體積做到了2.05*1.25*0.35mm。在這之前最小的體積基本上就是3.2*1.5mm。愛普生的不斷突破使其在市場上占有絕對的優(yōu)勢。只是這款貼片晶振價格是相當?shù)陌嘿F。因為里面晶片磨的越小,就代表工藝越復雜。

該貼片晶振具有的優(yōu)點

1,高精度小型表面貼片型石英晶體諧振器

2, 輕薄型與小型化為高端產品帶來了更大的方便

3,可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性

4,金屬外殼的使用使得產品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷外殼更好的耐沖擊性。

3


SG-8018CE


4

項目 符號 規(guī)格說明 條件
電源電壓 VCC 1.80 V Typ. 2.50 V Typ. 3.30 V Typ.
1.62 to 1.98V 1.98 to 2.20V 2.20 to 2.80V 2.70 to 3.63 V
輸出頻率范圍 f0 0.67 MHz to 170 MHz
儲存溫度 T_stg -40°C to +125°C 裸存
工作溫度 T_use H: -40°C to +105°C
頻率穩(wěn)定度 *1 f_tol J: ±50 × 10-6 T_use= -40°C to +105°C
功耗 ICC 3.2mA Max. 3.3mA Max. 3.4mA Max. 3.5mA Max. T_use=+105°C 無負載條件
f= 20 MHz
2.7mA Typ. 2.9mA Typ. 3.0mA Typ. T_use=+25°C
5.5mA Max. 5.8mA Max. 6.7mA Max. 8.1mA Max. T_use=+105°C 無負載條件
f= 170 MHz
4.7mA Typ. 5.7mA Typ. 6.8mA Typ. T_use=+25°C
輸出禁用電流 I_dis 3.2mA Max. 3.2mA Max. 3.3mA Max. 3.5mA Max. OE=GND , f0 = 170 MHz
待機電流 I_std 0.9μA Max. 1.0μA Max. 1.5μA Max. 2.5μA Max. T_use=+105°C ST = GND
0.3μA Typ. 0.4μA Typ. 0.5μA Typ. 1.1μA Typ. T_use= +25°C
占空比 SYM 45% to 55% 50% VCC 級
輸出電壓
(DC特性)
VOH 90% VCC Min. [mA]
tr / tf VCC A B C D
默認
(f0>40MHz)
快速
IOH -2.5 -3.5 -4.0 -5.0
IOL 2.5 3.5 4.0 5.0
默認
(f0≦40MHz)
IOH -1.5 -2.0 -2.5 -3.0
VOL 10% VCC Max. IOL 1.5 2.0 2.5 3.0
緩慢 IOH -1.0 -1.5 -2.0 -2.5
IOL 1.0 1.5 2.0 2.5
A: 1.62 to 1.98 V , B: 1.98 to 2.20 V
C: 2.20 to 2.80 V , D: 2.70 to 3.63 V
輸出負載條件
(CMOS)
L_CMOS 15pF Max.
輸入電壓 VIH 70% VCC Min. OE or ST
VIL 30% VCC Max.
上升/下降時間 默認 tr / tf 3.0 ns Max. f> 40MHz 20% VCC to 80% VCC
L_CMOS=15pF
6.0 ns Max. f0 ≦ 40MHz
快速 3.0 ns Max. f0=0.67to170MHz
緩慢 10.0 ns Max. f0=0.67to20MHz
禁用時間 t_stp 1 μs Max. 從OE和ST 引腳越過30%的VCC時測量
啟用時間 t_sta 1 μs Max. 從OE引腳越過70%的VCC時測量
恢復時間 t_res 3 ms Max. 從ST引腳跨越70%VCC時測量
振蕩器啟動時間 t_str 3 ms Max. 從VCC達到其額定的最小值,1.62 V隨時間測量
頻率老化 f_aging 這包含在頻率容差規(guī)范 +25°C, 10年

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