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愛普生晶振,TG2016SKA晶振,低相噪晶振

頻率:13MHZ~55MHZ

尺寸:2.0*1.6mm

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愛普生晶振,TG2016SKA晶振,低相噪晶振

EPSON愛普生司成立于19425月,總部位于日本長野縣諏訪市是數(shù)碼映像領域的全球領先企業(yè)。愛普生集團通過富有創(chuàng)新和創(chuàng)造力的文化,提升企業(yè)價值,致力于為客戶提供數(shù)碼影像創(chuàng)新技術和解決方案。愛普生拓優(yōu)科夢是一家專業(yè)從事晶體元件的廠商,愛普生拓優(yōu)科夢(Epson Toyocom)運用長年積累的培育人工石英以及以加工為代表的、實現(xiàn)精微化、高精度、高品質(zhì)的綜合技術,提出“3D戰(zhàn)略究極應用石英特性而制造的三大元器件:定時元器件、傳感元器件、光學元器件,并創(chuàng)出將其復合而成的模塊,為成為不可缺少的企業(yè)而邁進至今。伴隨信息化社會的進程,現(xiàn)在石英元器件已被廣泛應用于各種電子設備以及家電產(chǎn)品之中,日趨重要。 愛普生拓優(yōu)科夢(Epson Toyocom)將進一步究極用精微加工發(fā)揮石英材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術,創(chuàng)造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同時,融合愛普生集團的半導體與軟件技術增添便于使用、能讓顧客更體驗到利用價值的解決方案。通過上述工作,我們將為社會的發(fā)展以及實現(xiàn)更舒暢的未來而竭誠奉獻。

愛普生(EPSON)晶振,全稱為愛普生拓優(yōu)科夢,成立于1942,總部在日本,是全球數(shù)一數(shù)二的晶振制造商。在日本本地有三個制造工廠,同時和日本精工也有合作。主要生產(chǎn)的晶體產(chǎn)品有:SMD crystalDIP crystal、石英晶體振蕩器、溫補晶振、壓控石英水晶振子、VC-TCXO等等,由于其制造工藝處于世界頂尖水平,價格也是相對于其他平牌要高。被廣泛的應用于各類計量儀表、醫(yī)療電子設備、汽車電子和各類高端消費類電子產(chǎn)品。


愛普生晶振,TG2016SKA晶振,低相噪晶振

愛普生KHZ產(chǎn)品分有貼片SMD圓柱DIP。

KHZ中愛普生是以32.768KHZ最為出名的。32.768K晶振是一款數(shù)字電路板都要使用到的重要部件,有人比喻為電路板的心跳發(fā)生器,也就是說心如果停止了跳動,那么電路板也將無法進行穩(wěn)定的工作了。32.768K中愛普生C-002RX是一款受歡迎的圓柱音叉晶振,體積只有2*6mm。與日本KDSDT-26同體積同參數(shù)。

因此說道的四款型號晶振都是可以相互替換使用的。只是有客戶比較鐘愛某個品牌,或者是上級有要求一定要用什么品牌的。C-002RX具有的優(yōu)點有

1,超小型、薄型、質(zhì)地輕的音叉圓柱晶振,使焊接更為方便簡單

2,具備優(yōu)良的耐熱性、耐環(huán)境特性

3,金屬外殼的使用使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷外殼更好的耐沖擊性。

愛普生除此C-002RX晶振,C-001也是工藝中比較常用到的音叉晶振,體積大概只有3*8mm。只是2*6體積稍微小一點,比較受廣發(fā)消費者的愛戴。同此相比,當然也有比2*6更小的體積了,例如體積只有5*1.5mmC-004R圓柱晶振,4.5*1.2mmC-005R圓柱晶振。價格相對來說都是比較貴的。因為體積小就意味著占用空間小。

KHZ貼片系列,愛普生在這一系列上做的可是相當?shù)淖吭?,?/span>貼片晶振最小體積做到了2.05*1.25*0.35mm。在這之前最小的體積基本上就是3.2*1.5mm。愛普生的不斷突破使其在市場上占有絕對的優(yōu)勢。只是這款貼片晶振價格是相當?shù)陌嘿F。因為里面晶片磨的越小,就代表工藝越復雜。

該貼片晶振具有的優(yōu)點

1,高精度小型表面貼片型晶體諧振器

2, 輕薄型與小型化為高端產(chǎn)品帶來了更大的方便

3,可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性

4,金屬外殼的使用使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷外殼更好的耐沖擊性。

TG2016SKA

項目

符號

規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

13MHZ~55MHZ

請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息

電源電壓

VCC

1.8 V Typ.3.3 V Typ

聯(lián)系我們以了解更多相關信息

儲存溫度

T_stg

-40 to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -40 to +105

請聯(lián)系我們查看更多資料http://m.edgebanding.cn

H: -40 to +85

J: -40 to +85

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負載條件、最大工作頻率

待機電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

輸出負載條件

L_CMOS

15 pF Max.

 

輸入電壓

VIH

80% VCC Max.

ST 終端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降時間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC , L_CMOS=15 pF

振蕩啟動時間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 初年度,第一年



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