86-0755-27838351
頻率:10~40MHZ
尺寸:5.0*3.2mm
EPSON愛(ài)普生公司成立于1942年5月,總部位于日本長(zhǎng)野縣諏訪市,是數(shù)碼映像領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè).愛(ài)普生集團(tuán)通過(guò)富有創(chuàng)新和創(chuàng)造力的文化,提升企業(yè)價(jià)值,致力于為客戶(hù)提供數(shù)碼影像創(chuàng)新技術(shù)和解決方案.愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)是一家專(zhuān)業(yè)從事晶體元件的廠商,愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)(Epson — yocom)運(yùn)用長(zhǎng)年積累的培育人工石英貼片晶振以及以加工為代表的、實(shí)現(xiàn)精微化、高精度、高品質(zhì)的綜合技術(shù),提出“3D戰(zhàn)略”究極應(yīng)用石英特性而制造的三大元器件:定時(shí)元器件、傳感元器件、光學(xué)元器件,并創(chuàng)出將其復(fù)合而成的模塊,為成為不可缺少的企業(yè)而邁進(jìn)至今.
愛(ài)普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG5032CBN晶振,X1G0045710085晶振,小型SMD有源晶振,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛
晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減??;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
項(xiàng)目 |
符號(hào) |
規(guī)格說(shuō)明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
10~40MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
2.7V to 5.5V |
請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://m.edgebanding.cn |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率 |
待機(jī)電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
愛(ài)普生TCXO進(jìn)口日產(chǎn)晶振型號(hào)列表:
愛(ài)普生TCXO進(jìn)口日產(chǎn)晶振編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
F.Tol@25°C
Ope Temperature
Freq/Temp
I [Max]
Freq. Control
25°C Aging
TG5032CBN
24.576000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032CBN
10.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032CBN
15.360000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032CBN
19.200000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032CBN
26.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032CBN
25.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032CBN
40.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 6.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032CBN
50.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-0.9 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 8.0 mA
+/-1ppm
TG5032CBN
30.720000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 6.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032CBN
20.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
TG5032CBN
19.440000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
X1G0045710085
TG5032CBN
24.576000 MHz
5.00 x 3.20 x
1.45 mm
CMOS
+/-1.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.28 ppm
≤ 5.0 mA
+/-0.5ppm
X1G0045710086
TG5032CBN
10.000000
MHz
5.00
x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-1.0
ppm
-40
to +85 °C
+/-0.28
ppm
≤
5.0 mA
+/-0.5ppm
X1G0045710088
TG5032CBN
15.360000
MHz
5.00
x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-1.0
ppm
-40
to +85 °C
+/-0.28
ppm
≤
5.0 mA
+/-0.5ppm
X1G0045710091
TG5032CBN
19.200000
MHz
5.00
x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-1.0
ppm
-40
to +85 °C
+/-0.28
ppm
≤
5.0 mA
+/-0.5ppm
X1G0045710092
TG5032CBN
26.000000
MHz
5.00
x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-1.0
ppm
-40
to +85 °C
+/-0.28
ppm
≤
5.0 mA
+/-0.5ppm
X1G0045710093
TG5032CBN
25.000000
MHz
5.00
x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-1.0
ppm
-40
to +85 °C
+/-0.28
ppm
≤
5.0 mA
+/-0.5ppm
X1G0045710094
TG5032CBN
40.000000
MHz
5.00
x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-1.0
ppm
-40
to +85 °C
+/-0.28
ppm
≤
6.0 mA
+/-0.5ppm
X1G0045710095
TG5032CBN
50.000000
MHz
5.00
x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-0.9
ppm
-40
to +85 °C
+/-0.28
ppm
≤
8.0 mA
+/-1ppm
X1G0045710096
TG5032CBN
30.720000
MHz
5.00
x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-1.0
ppm
-40
to +85 °C
+/-0.28
ppm
≤
6.0 mA
+/-0.5ppm
X1G0045710097
TG5032CBN
20.000000
MHz
5.00
x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-1.0
ppm
-40
to +85 °C
+/-0.28
ppm
≤
5.0 mA
+/-0.5ppm
X1G0045710098
TG5032CBN
19.440000
MHz
5.00
x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-1.0
ppm
-40
to +85 °C
+/-0.28
ppm
≤
5.0 mA
+/-0.5ppm
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于進(jìn)口小體積有源晶振器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。愛(ài)普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG5032CBN晶振,X1G0045710085晶振
(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用進(jìn)口石英晶體振蕩器焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。
機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)5032封裝晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
電話:+86-0755-278383514
手機(jī):138-2330-0879
QQ:632862232
地址:廣東深圳市寶安寶安大道東95號(hào)浙商銀行大廈1905