86-0755-27838351
頻率:1-300MHZ
尺寸:7.0*5.0mm
富士晶振,貼片晶振,FVO-700晶振,普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產(chǎn)品應用到自動貼片機高速安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振真空退火技術:晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入晶振廠家已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性。
項目 |
符號 |
晶振規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
1-300MHZ |
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電源電壓 |
VCC |
2.5-5.0V |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -10℃ to +75℃ |
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H: -40℃ to +85℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
石英晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保有源石英晶振產(chǎn)品未撞擊機器或其他電路板等。
每個封裝類型的注意事項
(1)陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機械應力而導致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進行電路板切割時,務必確保高精度有源晶振在應力較小的位置布局晶體并采用應力更小的切割方法。
(2)陶瓷包裝石英晶振
在一個不同擴張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。
(3)柱面式產(chǎn)品
產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開裂),也可能導致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當有源晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時,應在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當該引腳需修復時,請勿拉伸,托住彎曲部分進行修正。TCXO石英振蕩器在該密封部分上施加一定壓力,會導致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外,為避負機器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。
富士晶振,貼片晶振,FVO-700晶振
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