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KDS晶振,DSO221SBM晶振,有源晶振

頻率：3.25MHZ~52MHZ

尺寸：2.5*2.0mm

小型貼片石英晶振主要采用了，先進(jìn)的晶片的拋光工藝技術(shù)，是晶體行業(yè)中石英晶片研磨技術(shù)中表面處理的最高技術(shù)，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，大大的降低諧振電阻，使精度得到了很大的提升。改變了傳統(tǒng)的生產(chǎn)工藝，使產(chǎn)品在各項(xiàng)參數(shù)得到了很大的改良,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.

訂購(gòu)熱線：86-0755-27838351

KDS晶振,DSO221SBM晶振,有源晶振

日本株式會(huì)社大真空晶振總公司設(shè)立在日本國(guó)兵庫(kù)縣加古川市平岡町新在家,創(chuàng)業(yè)時(shí)間為1959年11月3日,正式注冊(cè)成立是在1963年5月8日,當(dāng)時(shí)注冊(cè)資金高達(dá)321億日元之多,主要從事電子元件石英晶振以及電子設(shè)備生產(chǎn)銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,晶體應(yīng)用產(chǎn)品,晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學(xué)產(chǎn)品,硅晶體時(shí)鐘設(shè)備,MEMS振蕩器等.

大真空株式會(huì)社KDS晶振自1959年建立以來(lái)一直遵從的三個(gè)理念”依賴”于”可靠的人”“可靠的產(chǎn)品”和”可靠的公司”.作為全球石英晶振制造商,大真空KDS晶振努力幫助實(shí)現(xiàn)新一代電子社會(huì),更方便人們更舒適,通過(guò)開發(fā)石英晶振, 壓控晶體振蕩器(VCXO),溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO),恒溫晶體振蕩器(OCXO),陶瓷諧振器等晶體器件對(duì)全球環(huán)境友好.

日本株式會(huì)社KDS晶振不斷努力為我們的客戶在日本國(guó)內(nèi)外提供世界一流的質(zhì)量和滿意程度高.所生產(chǎn)石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美國(guó),英國(guó),德國(guó),到中國(guó),新加坡,泰國(guó)和其他亞洲國(guó)家.以”依賴”為公司方針,以客戶為導(dǎo)向,創(chuàng)新高效的經(jīng)營(yíng)管理,努力創(chuàng)造利潤(rùn),履行企業(yè)社會(huì)責(zé)任.

日本大真空株式會(huì)社KDS晶振,于1993年被天津政府對(duì)外資招商部特別邀請(qǐng)?jiān)谥袊?guó)天津投資.日本大真空在當(dāng)年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,品牌是簡(jiǎn)稱(KDS晶振)當(dāng)時(shí)總額1.4億美元,注冊(cè)資本4867.3萬(wàn)美元,占地面積67.5畝.

日本大真空株式會(huì)社KDS晶振品牌實(shí)力見證未來(lái),KDS晶振集團(tuán)總公司位于日本兵庫(kù)縣加古川,在泰國(guó),印度尼西亞,臺(tái)灣,中國(guó)天津這些大城市均有壓控晶體振蕩器,貼片晶振,陶瓷霧化片,32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振的生產(chǎn)工廠,而天津KDS晶振工廠是全球石英晶振生產(chǎn)最大量的工廠,自從1993年在天津投產(chǎn)以來(lái),技術(shù)更新從未間斷.

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如何正確的使用有源晶振

電處理：

將電源連接到有源晶體振蕩器指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英2520晶振,假如損壞那將不會(huì)工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會(huì)導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì)不起振,或者起不到最佳精度.

機(jī)械處理

當(dāng)晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn).

機(jī)械振動(dòng)的影響

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管SMD晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

有源晶振的負(fù)載電容與阻抗

負(fù)載電容與阻抗高精密貼片晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí),指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問(wèn)題例如：失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測(cè)量?jī)x器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測(cè)量?jī)x器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測(cè)量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測(cè)量可以忽略.

DSO221SBM 2520 SPXO

項(xiàng)目	記號(hào)	特性コード		出力周波數(shù)範(fàn)囲（MHz）	規(guī)格				條件
項(xiàng)目	記號(hào)	電源電圧	周波數(shù) 許容偏差	出力周波數(shù)範(fàn)囲（MHz）	min.	typ.	max.	単位	條件
電源電圧	V_CC	＊	＊	3.25≦fo≦52	+4.5	+5.0	+5.5	V
周波數(shù)許容偏差（常溫偏差含む）	f_tol	＊	A	3.25≦fo≦52	-100	-	+100	×10^-6	-40~+85℃	-10~+70℃ （標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)作溫度範(fàn)囲）
			B	3.25≦fo≦52	-50	-	+50		-40~+85℃
			C	3.25≦fo≦52	-30	-	+30		-20~+70℃
消費(fèi)電流	I_CC	＊	＊	3.25≦fo≦52	-	-	8.0	mA	No Load
スタンバイ時(shí)電流（＃1ピン"L"）	I_std	＊	＊	＊	-	-	50	μA
出力負(fù)荷	L__CMOS	＊	＊	＊	-	-	30	pF
波形シンメトリ	SYM	＊	＊	fo＜26	45	50	55	%	50% V_CC Level
波形シンメトリ	SYM	＊	＊	fo≧26	40	50	60	%	50% V_CC Level
0レベル電圧	V_OL	＊	＊	＊	-	-	V_CC×0.1	V
1レベル電圧	V_OH	＊	＊	＊	V_CC×0.9	-	-	V
立上り時(shí)間立下り時(shí)間	tr, tf	＊	＊	3.25≦fo≦52	-	-	10	ns	L__CMOS:30pF 10~90％ V_CC Level（20~80％ V_CC Level）
OE端子0レベル入力電圧	V_IL	＊	＊	＊	-	-	V_CC×0.2	V
OE端子1レベル入力電圧	V_IH	＊	＊	＊	V_CC×0.8	-	-	V
出力ディスエーブル時(shí)間	tPLZ	＊	＊	＊	-	-	150	ns
出力イネーブル時(shí)間	tPZL	＊	＊	＊	-	-	5	ms
ピリオド　ジッタ（1）	tRMS	＊	＊	＊	-	2.5	-	ps	σ
ピリオド　ジッタ（1）	tp-p	＊	＊	＊	-	20	-	ps	Peak to peak
トータル　ジッタ　（1）	tTL	＊	＊	＊	-	35	-	ps	tDJ+n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12)　(2)
位相ジッタ	tpj	＊	＊	40≦fo≦52	-	-	1	ps	fo offset:12kHz~20MHz
位相ジッタ	tpj	＊	＊	10≦fo＜40	-	-	1	ps	fo offset:12kHz~5MHz
梱包単位（3）	2000pcs./reel（φ180）

DSO221SBM晶振低電壓晶振 2520mm晶振貼片晶振

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