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晶振帝國(guó)
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NDK晶振,超薄型晶振,NT2016SB溫補(bǔ)振蕩器

頻率:10.000MHz~52.000MHz

尺寸:2.0*1.6*0.7mm

智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型溫度補(bǔ)償石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
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NDK晶振,超薄型晶振,NT2016SB溫補(bǔ)振蕩器.普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動(dòng)貼片機(jī)上對(duì)應(yīng)自動(dòng)貼裝等優(yōu)勢(shì).

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).

NDK晶振集團(tuán)所處于的事業(yè)環(huán)境是智能手機(jī)市場(chǎng)的擴(kuò)大已在延緩,但伴隨著LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等帶來(lái)的搭載部件的構(gòu)成的變化,使得TCXO晶體振蕩器(溫度補(bǔ)償晶體振蕩器)和SAW(彈性表面波)器件的需要在急速增加.由此,本集團(tuán)將方針轉(zhuǎn)換至面向量產(chǎn)市場(chǎng)的產(chǎn)品的再?gòu)?qiáng)化上,把均衡縮減戰(zhàn)略切換成成長(zhǎng)戰(zhàn)略.并且展開(kāi)在產(chǎn)業(yè)設(shè)備、車載、傳感器領(lǐng)域,利用高的品質(zhì)力和技術(shù)力用實(shí)力強(qiáng)的產(chǎn)品創(chuàng)造出利益的中期銷售計(jì)劃.通過(guò)贏得客戶的高評(píng)價(jià)和高信賴來(lái)確保持續(xù)的成長(zhǎng)和安定的收益,來(lái)努力達(dá)成銷售額500億日元企業(yè)的復(fù)活的目標(biāo).

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NDK晶振

NT2016SB晶振

輸出類型

        HCMOS

輸出負(fù)載

10kΩ//10pF

振蕩模式

基本/第三泛音

電源電壓

+1.8V

頻率范圍

10.000MHz~52.000MHz

頻率穩(wěn)定度

±2.0ppm

工作溫度

-30℃~+85℃

保存溫度

-40℃~+85℃

電壓卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

啟動(dòng)時(shí)間

5 ms Max

相位抖動(dòng)(12兆赫~20兆赫)

1個(gè)PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

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NT2016SB 2016 TCXO

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機(jī)械振動(dòng)的影響

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管家用電器晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射. 

化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致高質(zhì)量石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.) 

鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂.

靜電

過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.

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