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NDK晶振,溫度補償晶振,NT2016SE振蕩器

頻率:10.000MHz~52.000MHz

尺寸:2.0*1.6*0.7mm

2016mm體積的溫補晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產(chǎn)品.(DC+1.8V±0.1Vto+2.9V±0.1V對應IC可能)高度:最高0.8mm,體積:0.0022cm3,重量:0.008g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.(可對應回流焊)無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC(頻率控制)功能,Enable/Disable功能,產(chǎn)品本身可根據(jù)使用需要進行選擇.
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NDK晶振,溫度補償晶振,NT2016SE振蕩器.普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體振蕩器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產(chǎn)品應用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

NDK晶振集團所處于的事業(yè)環(huán)境是智能手機市場的擴大已在延緩,但伴隨著LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等帶來的搭載部件的構成的變化,使得TCXO(溫度補償晶體振蕩器)和SAW(彈性表面波)器件的需要在急速增加.由此,本集團將方針轉換至面向量產(chǎn)進口晶振市場的產(chǎn)品的再強化上,把均衡縮減戰(zhàn)略切換成成長戰(zhàn)略.并且展開在產(chǎn)業(yè)設備、車載、傳感器領域,利用高的品質力和技術力用實力強的產(chǎn)品創(chuàng)造出利益的中期銷售計劃.通過贏得客戶的高評價和高信賴來確保持續(xù)的成長和安定的收益,來努力達成銷售額500億日元企業(yè)的復活的目標.

石英晶振真空退火技術:晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

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NDK晶振

NT2016SE晶振

輸出類型

        HCMOS

輸出負載

10kΩ//10pF

振蕩模式

基本/第三泛音

電源電壓

+1.8V

頻率范圍

10.000MHz~52.000MHz

頻率穩(wěn)定度

±0.5ppm

工作溫度

-40℃~+105℃

保存溫度

-40℃~+105℃

電壓卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

啟動時間

5 ms Max

相位抖動(12兆赫~20兆赫)

1個PS最大

老化率

±3 ppm /年最大

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NT2016SE 2016 TCXO

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在使用NDK晶振時應注意以下事項

1:抗沖擊

抗沖擊是指小體積貼片晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.

2:輻射

將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.

3:化學制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.NDK晶振,貼片晶振,NX1255GB晶振,NX1255GC晶振

4:粘合劑

請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)

5:鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用NDK晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.

6:靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.

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