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康華爾電子有限公司——晶振行業(yè)進(jìn)口晶振品牌代理商

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晶振帝國(guó)
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希華晶振,有源晶振,SPO-3225B晶振,有源進(jìn)口晶振

頻率:1~200MHZ

尺寸:3.2*2.5mm

3225mm體積貼片晶振適用于汽車(chē)電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴(lài)性最適合用于汽車(chē)電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
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QQ咨詢(xún) 點(diǎn)擊這里給我發(fā)消息 希華晶振,有源晶振,SPO-3225B晶振,有源進(jìn)口晶振

希華晶體產(chǎn)品3225晶振應(yīng)用范圍包含行動(dòng)電話(huà)、平板電腦、衛(wèi)星通訊、車(chē)載系統(tǒng)、全球定位系統(tǒng)、個(gè)人電腦、無(wú)線通信及家用產(chǎn)品等,扮演基本信號(hào)源產(chǎn)生、傳遞、濾波等功能。持續(xù)致力于技術(shù)研究開(kāi)發(fā)及品質(zhì)落實(shí)扎根,營(yíng)運(yùn)據(jù)點(diǎn)遍布臺(tái)灣、中國(guó)大陸、日本、新加坡、美國(guó)及歐洲等世界各地,使希華得以提供服務(wù)予世界電子大廠。 

導(dǎo)入先進(jìn)微機(jī)電制程創(chuàng)新研發(fā)技術(shù)敏銳地掌握進(jìn)口產(chǎn)品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發(fā)展主流,致力于開(kāi)發(fā)小型化、高頻與光電領(lǐng)域等產(chǎn)品,與日本同業(yè)并駕齊驅(qū)。且深耕微機(jī)電(MEMS)技術(shù)領(lǐng)域,加速導(dǎo)入TF SMD Crystal的量產(chǎn),藉以擴(kuò)大公司營(yíng)收規(guī)模并且提升獲利空間。

希華晶振,有源晶振,SPO-3225B晶振,有源進(jìn)口晶振,超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車(chē)電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分.低頻晶振可從1MHz起對(duì)應(yīng),小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

石英晶振頻率穩(wěn)定度:關(guān)鍵參數(shù),我們的石英晶體振蕩器可以達(dá)到10-9級(jí)別。指在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi),與標(biāo)稱(chēng)頻率允許的偏差,用PPm(百萬(wàn)分之一)表示。一般來(lái)說(shuō),晶振穩(wěn)定度越高或溫度范圍越寬,價(jià)格越高。對(duì)于頻率穩(wěn)定度要求±20ppm或以上的應(yīng)用,可使用普通無(wú)補(bǔ)償?shù)氖⒕w振蕩器。對(duì)于介于±1 至±20ppm 的穩(wěn)定度,應(yīng)該考慮溫補(bǔ)晶振TCXO 。對(duì)于低于±1ppm 的穩(wěn)定度,應(yīng)該考慮恒溫晶振OCXO。如果客戶(hù)有十分特別的頻穩(wěn)要求,我們可根據(jù)客戶(hù)要求參數(shù)定做。


項(xiàng)目

符號(hào)

(CMOS)晶振規(guī)格說(shuō)明

條件

輸出頻率范圍

f0

1~200MHZ

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電源電壓

VCC

1.8,3.3V

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儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -10 to +70

請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料 http://m.edgebanding.cn

H: -40 to +85


頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±30× 10-6

 

L: ±50× 10-6

T: ±100× 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無(wú)負(fù)載條件最大工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

 

輸入電壓

VIH

80% VCC Max.

ST 終端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降時(shí)間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC , L_CMOS=15 pF

振蕩啟動(dòng)時(shí)間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 初年度,第一年

SPO-3225B 3225 OSC

如何正確的使用金屬面貼片晶振,電處理:將電源連接到指定的終端,確定正確的極性這目錄所示。注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振,假如損壞那將不會(huì)工作。此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會(huì)導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞。所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì)不起振,或者起不到最佳精度。希華晶振,有源晶振,SPO-3225B晶振,有源進(jìn)口晶振

兆赫茲晶振的負(fù)載電容與阻抗:負(fù)載電容與阻抗設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值。當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿(mǎn)足時(shí),指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問(wèn)題例如:失真的輸出波形。特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗。輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測(cè)量?jī)x器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器。當(dāng)輸入阻抗的測(cè)量?jī)x器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測(cè)量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測(cè)量可以忽略。

機(jī)械處理:當(dāng)發(fā)生外置撞擊時(shí),任何在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致進(jìn)口3225有源晶體振蕩器損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器。如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn)。

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