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511FCA100M000BAG-Silicon差分振蕩器-6G交換機晶振-Si511有源晶振

頻率：100MHZ

尺寸：5.00mmx3.20mm

511FCA100M000BAG-Silicon差分振蕩器-6G交換機晶振-Si511有源晶振，尺寸為5.00mmx3.20mm，頻率100MHZ，電壓為2.5V，頻率穩(wěn)定性20ppm.輸出為LVDS，Silicon Crystal，Silicon有源振蕩器，差分晶振LVDS，低功耗振蕩器，有源貼片晶振，XO時鐘振蕩器，SMD振蕩器，低電壓晶振，低相噪振蕩器，低相位差分晶振，低抖動差分晶振，Si510/511 XO采用了Skyworks Solutions公司先進的DSPLL技術提供從100千赫到250兆赫的任何頻率。不像傳統(tǒng)的XO其中每個輸出頻率需要不同的晶體，Si510/511使用一個固定晶體和Skyworks Solutions的專有DSPLL合成器在這個范圍內產生任何頻率。

這解決方案提供卓越的電源噪聲抑制，簡化低抖動時鐘在嘈雜的環(huán)境中產生。晶體ESR和DLD是獨立的生產測試，以保證性能和提高可靠性。Si510/511差分晶體振蕩器可在工廠配置，適用于各種用戶規(guī)格;包括頻率、電源電壓、輸出格式、輸出使能極性、和穩(wěn)定性。特定的配置是在出廠時編程的運輸，消除了漫長的交貨期和非經常性的工程費用與自定義頻率振蕩器相關聯(lián)。511FCA100M000BAG-Silicon差分振蕩器-6G交換機晶振-Si511有源晶振.


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511FCA100M000BAG-Silicon差分振蕩器-6G交換機晶振-Si511有源晶振，尺寸為5.00mmx3.20mm，頻率100MHZ，電壓為2.5V，頻率穩(wěn)定性20ppm.輸出為LVDS，Silicon Crystal，Silicon有源振蕩器，差分晶振LVDS，低功耗振蕩器，有源貼片晶振，XO時鐘振蕩器，SMD振蕩器，低電壓晶振，低相噪振蕩器，低相位差分晶振，低抖動差分晶振，Si510/511 XO采用了Skyworks Solutions公司先進的DSPLL技術提供從100千赫到250兆赫的任何頻率。不像傳統(tǒng)的XO其中每個輸出頻率需要不同的晶體，Si510/511使用一個固定晶體和Skyworks Solutions的專有DSPLL合成器在這個范圍內產生任何頻率。

這解決方案提供卓越的電源噪聲抑制，簡化低抖動時鐘在嘈雜的環(huán)境中產生。晶體ESR和DLD是獨立的生產測試，以保證性能和提高可靠性。Si510/511差分晶體振蕩器可在工廠配置，適用于各種用戶規(guī)格;包括頻率、電源電壓、輸出格式、輸出使能極性、和穩(wěn)定性。特定的配置是在出廠時編程的運輸，消除了漫長的交貨期和非經常性的工程費用與自定義頻率振蕩器相關聯(lián)。511FCA100M000BAG-Silicon差分振蕩器-6G交換機晶振-Si511有源晶振.2

511FCA100M000BAG-Silicon差分振蕩器-6G交換機晶振-Si511有源晶振      參數(shù)表

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Supply Voltage V DD 3.3 V option 2.97 3.3 3.63 V
2.5 V option 2.25 2.5 2.75 V
1.8 V option 1.71 1.8 1.89 V
Supply Current IDD CMOS, 100 MHz,
single-ended 		— 21 26 mA
LVDS
(output enabled) 		— 19 23 mA
LVPECL
(output enabled) 		— 39 43 mA
HCSL
(output enabled) 		— 41 44 mA
Tristate
(output disabled) 		— — 18 mA
OE "1" Setting VIH See Note 0.80 x V DD — — V
OE "0" Setting VIL See Note — — 0.20 x V DD V
OE Internal Pull-Up/Pull-
Down Resistor* 		RI — 45 — kΩ
Operating Temperature TA –40 — 85 oC
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Supply Voltage V DD 3.3 V option 2.97 3.3 3.63 V
2.5 V option 2.25 2.5 2.75 V
1.8 V option 1.71 1.8 1.89 V
Supply Current IDD CMOS, 100 MHz,
single-ended 		— 21 26 mA
LVDS
(output enabled) 		— 19 23 mA
LVPECL
(output enabled) 		— 39 43 mA
HCSL
(output enabled) 		— 41 44 mA
Tristate
(output disabled) 		— — 18 mA
OE "1" Setting VIH See Note 0.80 x V DD — — V
OE "0" Setting VIL See Note — — 0.20 x V DD V
OE Internal Pull-Up/Pull-
Down Resistor* 		RI — 45 — kΩ
Operating Temperature TA –40 — 85 oC
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
CMOS Output Logic
High 		V OH 0.85 x V DD — — V
CMOS Output Logic
Low 		VOL — — 0.15 x V DD V
CMOS Output Logic
High Drive 		I OH 3.3 V –8 — — mA
2.5 V –6 — — mA
1.8 V –4 — — mA
CMOS Output Logic
Low Drive 		I OL 3.3 V 8 — — mA
2.5 V 6 — — mA
1.8 V 4 — — mA
CMOS Output Rise/Fall
Time
(20 to 80% V DD) 		TR/T F 0.1 to 212.5 MHz,
CL = 15 pF 		0.45 0.8 1.2 ns
0.1 to 212.5 MHz,
CL = no load 		0.3 0.6 0.9 ns
LVPECL Output
Rise/Fall Time
(20 to 80% VDD) 		TR/T F 100 — 565 ps
HCSL Output Rise/Fall
Time (20 to 80% VDD) 		TR/T F 100 — 470 ps
LVDS Output Rise/Fall
Time (20 to 80% VDD) 		TR/T F 350 — 800 ps
LVPECL Output
Common Mode 		VOC 50 Ω to V DD – 2 V,
single-ended 		— V DD –
1.4 V 		— V
LVPECL Output Swing VO 50 Ω to V DD – 2 V,
single-ended 		0.55 0.8 0.90 VPPSE
LVDS Output Common
Mode 		VOC 100 Ω line-line
V DD= 3.3/2.5 V 		1.13 1.23 1.33 V
100 Ω line-line, V DD= 1.8 V 0.83 0.92 1.00 V
LVDS Output Swing VO Single-ended, 100 Ω differential
termination 		0.25 0.35 0.45 VPPSE
HCSL Output Common
Mode 		VOC 50 Ω to ground 0.35 0.38 0.42 V
HCSL Output Swing VO Single-ended 0.58 0.73 0.85 VPPSE
Duty Cycle DC All formats 48 50 52 %
3511FCA100M000BAG-Silicon差分振蕩器-6G交換機晶振-Si511有源晶振       尺寸圖Si510 Si511

OscillatorCrystal產品特性：

支持來自的任何頻率100kHz至250MHz

低抖動操作

完全穩(wěn)定包括10年老化

全面的生產測試

覆蓋范圍包括晶體ESR和DLD片內LDO電源調節(jié)器

電源噪聲濾波 3.3、2.5或1.8V工作電壓差異(LVPECL，LVDS， HCSL)或CMOS輸出選項

可選集成1:2CMOS扇出緩沖器

OE上的不良抑制和通電

行業(yè)標準5x7、3.2x5、 和2.5x3.2毫米封裝

無鉛，符合RoHS標準

–40至85攝氏度操作Si510 Si511 1Si510 Si511 2

更多相關Silicon晶振型號

Manufacturer Part Number原廠代碼 Manufacturer品牌 Series型號 Frequency 頻率 Voltage - Supply電壓 Frequency Stability頻率穩(wěn)定度
511BBA148M500AAG Silicon Labs Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511FBA200M000BAG Silicon Labs Si511 200MHz 2.5V ±25ppm
510BBA200M000BAG Silicon Labs Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
511FBA200M000AAG Silicon Labs Si511 200MHz 2.5V ±25ppm
511ABA25M0000BAG Silicon Labs Si511 25MHz 3.3V ±25ppm
511FCA100M000BAG Silicon Labs Si511 100MHz 2.5V ±20ppm
511BCA100M000BAG Silicon Labs Si511 100MHz 3.3V ±20ppm
530BA125M000DG Silicon Labs Si530 125MHz 3.3V ±50ppm
531FB125M000DG Silicon Labs Si531 125MHz 2.5V ±20ppm
530BB100M000DG Silicon Labs Si530 100MHz 3.3V ±20ppm
530FC156M250DG Silicon Labs Si530 156.25MHz 2.5V ±7ppm
510ABA125M000BAG Silicon Labs Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
511BBA74M2500BAG Silicon Labs Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250BAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA156M250BAG Silicon Labs Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA200M000BAG Silicon Labs Si510 200MHz 2.5V ±25ppm
510ABA200M000BAG Silicon Labs Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
530FA156M250DG Silicon Labs Si530 156.25MHz 2.5V ±50ppm
531BC000110DG Silicon Labs Si531 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
535FB125M000DG Silicon Labs Si535 125MHz 2.5V ±20ppm
SI50122-A4-GM Silicon Labs SI50122-A4 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm
511ABA156M250AAGR Silicon Labs Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
530FC125M000DG Silicon Labs Si530 125MHz 2.5V ±7ppm
531BC200M000DG Silicon Labs Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC250M000DG Silicon Labs Si531 250MHz 3.3V ±7ppm
530AC622M080DG Silicon Labs Si530 622.08MHz 3.3V ±7ppm
511FBA100M000BAG Silicon Labs Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250BAG Silicon Labs Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250AAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510ABA156M250AAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
531BC125M000DG Silicon Labs Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
530AC125M000DG Silicon Labs Si530 125MHz 3.3V ±7ppm
531FB106M250DG Silicon Labs Si531 106.25MHz 2.5V ±20ppm
531AC156M250DG Silicon Labs Si531 156.25MHz 3.3V ±7ppm
531AC200M000DG Silicon Labs Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC148M500DG Silicon Labs Si531 148.5MHz 3.3V ±7ppm
530AC200M000DG Silicon Labs Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
530BC200M000DG Silicon Labs Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC156M250DG Silicon Labs Si531 156.25MHz 3.3V ±7ppm
530FC200M000DG Silicon Labs Si530 200MHz 2.5V ±7ppm
536BB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm
536FB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 2.5V ±20ppm
536AB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm
510FBA125M000BAG Silicon Labs Si510 125MHz 2.5V ±25ppm
511BBA000149BAG Silicon Labs Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510FBA100M000BAG Silicon Labs Si510 100MHz 2.5V ±25ppm
511FBA106M250BAG Silicon晶振 Si511 106.25MHz 2.5V ±25ppm
510BBA106M250BAG Silicon Labs Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511BBA125M000AAG Silicon Labs Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
510BBA100M000AAG Silicon Labs Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
510BBA125M000AAG Silicon Labs Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
511FBA100M000AAG Silicon Labs Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250AAG Silicon Labs Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA148M500BAG Silicon Labs Si511 148.5MHz 2.5V ±25ppm
510FBA148M500BAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA156M250BAG Silicon Labs Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA156M250BAG Silicon Labs Si511 156.25MHz 2.5V ±25ppm
510BBA148M500BAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA156M250AAG Silicon Labs Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA156M250AAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 2.5V ±25ppm
511ABA155M520AAG Silicon Labs Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510FBA148M500AAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA155M520AAG Silicon Labs Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510BBA148M500AAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510ABA148M500AAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510DBA100M000AAG Silicon Labs Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
531AC125M000DG Silicon Labs Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
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