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康華爾電子-中國(guó)供應(yīng)商

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晶振帝國(guó)
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愛普生晶振,FA2016AS晶振,移動(dòng)電話晶振,FA2016AS 19.2000MF12Y-AG3

頻率:26MHZ~54MHZ

尺寸:2.0*1.6mm

體積小,超薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,“FA2016AS 19.2000MF12Y-AG3”,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,小型,薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體振蕩器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航SSD,USB,Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
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愛普生晶振,FA2016AS晶振,移動(dòng)電話晶振,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,“FA2016AS 19.2000MF12Y-AG3比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì):石英晶片的長(zhǎng)寬尺寸已要求在±0.002mm內(nèi),由于高品質(zhì)貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng),面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng),從而造成如若石英晶振晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問題,公司在此方面通過理論與實(shí)踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。愛普生晶振,FA2016AS晶振,小體積貼片晶振,進(jìn)口無源晶振,愛普生株式會(huì)社愛普生拓優(yōu)科夢(mèng),(EPSON — YOCOM)1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,FA2016AS 19.2000MF12Y-AG3以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)貼片晶振,壓電石英晶體,1996年2月在中國(guó)蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).

FA-2016AS 2016

愛普生晶振,FA2016AS晶振,移動(dòng)電話晶振

FA2016AS 19.2000MF12Y-AG3抗沖擊

晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.

輻射

暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致3225有源晶振性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.

化學(xué)制劑/pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬蓋,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)

鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用金屬面石英貼片晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.

靜電

過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.

激勵(lì)功率

在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率.

負(fù)極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加.

負(fù)載電容

振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容.

晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊,所有石英晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供.

噪音

在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象.

輸入終端的處理

未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCCGND.

愛普生晶振規(guī)格

單位

晶振參數(shù)

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

26.0-54.0MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-40°C  +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C  +85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

1.0μW Max.

推薦:1μW  100μW

頻率公差

f_— l

±20,±50× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.edgebanding.cn

頻率溫度特征

f_tem

-0.04 × 10-6/-20°C  +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

7,9,12.5pF 

超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請(qǐng)聯(lián)系我們.

抵抗電阻

R1

25~65KΩ Max


頻率老化

f_age

±3 ~±5× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

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Fox提供超過275種不同的產(chǎn)品,提供極其廣泛的頻率控制產(chǎn)品,包括石英晶體,時(shí)鐘振蕩器,溫度補(bǔ)償晶體振蕩器,壓控晶體振蕩器和恒溫晶體振蕩器,??怂闺娮拥漠a(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各種應(yīng)用領(lǐng)域,如無線通信設(shè)備和電信設(shè)備,計(jì)算機(jī)和外圍設(shè)備,儀器儀表,航空航天,倉(cāng)儲(chǔ),工業(yè),汽車,醫(yī)療和軍事等。
村田晶振,XRCGB晶振,XRCGB26M000F1S2AR0晶振,汽車電子晶振
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小型貼片石英晶振主要采用了,先進(jìn)的晶片的拋光工藝技術(shù),是晶體行業(yè)中石英晶片研磨技術(shù)中表面處理的最高技術(shù),最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,大大的降低諧振電阻,使精度得到了很大的提升。改變了傳統(tǒng)的生產(chǎn)工藝,使產(chǎn)品在各項(xiàng)參數(shù)得到了很大的改良,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.
村田晶振,XRCGB晶振,XRCGB24M000FFS1LR0晶振,進(jìn)口諧振器
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