86-0755-27838351
頻率:25MHZ~500MHZ
尺寸:3.2*2.5mm
小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領域,符合RoHS/無鉛.
貼片晶振晶片邊緣處理技術:貼片石英晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計,滾筒的曲率半徑,滾筒的長短,使用的研磨砂的型號,多少,填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.
愛普生晶振公司加強人力資源的全功能,技術,生產,銷售和支持和環(huán)境問題,利用信息技術,推進我們的原始制造模式尋求實現(xiàn)我們的愿景.視野下就像我提到的,我們的目標是使用我們的技術來創(chuàng)建一個新的連接人的時代,事物和信息,這樣我相信我們可以成為不可或缺的公司為我們的客戶和社會.
愛普生晶振,SG3225EEN晶振,有源晶體振蕩器
愛普生拓優(yōu)科夢把半導體(IC)稱之為“產業(yè)之米”,并認為晶體元器件更是離不開的“產業(yè)之鹽”將進一步致力于小型,高穩(wěn)定,高精度晶體元器件的開發(fā),為現(xiàn)有的應用程序以及生活新藍圖開拓廣闊前景.愛普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得愛普生拓優(yōu)科夢的晶體元器件已以23%的市場占有率位于業(yè)界第一.
那我們說說愛普生KHZ的產品工藝吧,愛普生KHZ產品分有圓柱DIP和貼片SMD.KHZ中愛普生是以32.768KHZ最為出名的. 32.768K晶振是一款數(shù)字電路板都要使用到的重要部件,有人比喻為電路板的心跳發(fā)生器,也就是說心如果停止了跳動,那么電路板也將無法進行穩(wěn)定的工作了.32.768K中愛普生C-002RX是一款受歡迎的圓柱音叉晶振,體積只有2*6mm.精工的VT-200-F,西鐵城的CFS206,KDS的DT-26同體積同參數(shù).因此說道的四款型號晶振都是可以相互替換使用的.只是有客戶比較鐘愛某個品牌,或者是上級有要求一定要用什么品牌的.C-002RX具有的優(yōu)點有
1,超小型、薄型、質地輕的音叉圓柱晶振,使焊接更為方便簡單.
2,具備優(yōu)良的耐熱性、耐環(huán)境特性
3,金屬外殼的使用使得產品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷外殼更好的耐沖擊性.
愛普生除此C-002RX晶振,C-001也是工藝中比較常用到的音叉晶振,體積大概只有3*8mm.只是2*6體積稍微小一點,比較受廣發(fā)消費者的愛戴.同此相比,當然也有比2*6更小的體積了,例如體積只有5*1.5mm的C-004R圓柱晶振,4.5*1.2mm的C-005R圓柱晶振.價格相對來說都是比較貴的.因為體積小就意味著占用空間小.
KHZ貼片系列,愛普生在這一系列上做的可是相當?shù)淖吭?將貼片晶振最小體積做到了2.05*1.25*0.35mm.在這之前最小的體積基本上就是3.2*1.5mm.愛普生的不斷突破使其在市場上占有絕對的優(yōu)勢.只是這款貼片晶振價格是相當?shù)陌嘿F.因為里面晶片磨的越小,就代表工藝越復雜.該貼片晶振具有的優(yōu)點
1,高精度小型表面貼片型石英晶體諧振器
2,輕薄型不小型化為高端產品帶來了更大的方便
3,可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性
4,金屬外殼的使用使得產品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷外殼更好的耐沖擊性.
項目 |
符號 |
SG3225EEN.規(guī)格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
25MHZ~500MHZ |
請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息 |
電源電壓 |
VCC |
2.5 V Typ./ 3.3 V Typ |
請聯(lián)系我們以了解更多相關信息 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55℃ to +125℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請聯(lián)系我們查看更多資料http://m.edgebanding.cn |
H: -40℃ to +105℃ |
|||
/ |
|||
頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
/ |
L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
/ |
VOL |
0.4 V Max. |
/ |
|
輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
/ |
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
電話:+86-0755-278383514
手機:138-2330-0879
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